硅烷

      化学式: H4Si，它是由1个硅原子与4个氢原子通过硅-氢（Si-H）相连。由于硅原子相对较大的原子半径和较低的电负性，导致硅烷中的硅-氢（Si-H）键较弱。Si-H键的键能大约在 318-384 kJ/mol 范围内，C-H键的键能通常在 413 kJ/mol 左右，Si-H键能低，意味着化学键更容易断裂，化学性质越活泼。

       在常温常压下为恶臭的无色有毒气体。是一种无色、与空气反应并会引起窒息的气体，同义名称是四氢化硅(Silicon hydride)。硅烷的化学式为SiH4，含量高达99.99%。在常温常压下，硅烷是一种恶臭的有毒气体。硅烷的熔点是-185℃，沸点是-112℃。在常温下，硅烷是稳定的，但在加热至400℃时，它会完全分解成气态硅和氢气。硅烷易燃、易爆，在空气或卤素气体中会发生爆炸性燃烧。在水中缓慢分解，几乎不溶于乙醇、乙醚、苯、氯仿及四氯化碳等。

       硅烷兼具“气体”和“含硅”两种特点，通过热解反应可以生成晶体硅。因为它纯度高，并能实现精细控制，因此是许多其他硅源无法取代的重要特殊气体。硅烷可以被认为是“流动的纯净的硅”，因此，有硅的地方往往就要用到硅烷，包括TFT（薄膜晶体管）/LCD（液晶显示器）、晶硅太阳能电池、半导体等应用，新兴的还有如硅碳负极、先进陶瓷、复合材料、生物材料等诸多领域，硅烷几乎通吃整个新能源、半导体、新材料行业。

      光伏使用的硅烷要求纯度达到5N（五个9，即99.999%，以下类似）以上，面板则要求纯度达到6N，半导体则要求7-9N以上。当然，纯度每提升一级，成本便会如指数般增长。由于光伏N型电池背面采用遂穿氧化层与多晶硅层钝化接触结构，因此所需硅烷气用量较P型电池提升约50%。